大家都知道，芯片一直都是我国急需解决问题，却不知道，芯片的核心问题还在于光刻机。在我国华为等高科技企业已经能够制作出前沿的芯片，只不过是中国并没有能完成量产的芯片生产商，因此处理芯片问题的核心还在于光刻机。

近日，光刻机销售市场传出两根信息，一个是中国某企业研发了SAQP以及，能做到绕开EUV光刻机完成7nm加工工艺，甚至5nm加工工艺，最主要的是没达到社会经济学极限值。

另一个是哈尔滨工程大学发布了一项“快速超精密干涉仪”的技术成果，并得到我国光学仪器品牌榜特等奖，而这一技术成果被一些人声称在我国7nm以内的光刻机难题。

这二则信息传出，导致了众多网民和有关专业人士的自嗨。要记住，在过去两年的时间里，不论是光量子芯片或是量子科技芯片及其超分辨率光刻机等，全是绕开光刻机完成高档芯片制造出来的计划方案。

值得一提的是，这种绕开光刻机完成高档芯片制造出来的科学研究，现阶段只停留在试验室环节。那么想要彻底处理光刻机难题一定要在加工工艺精密度上取得突破，更应该理论和实际及其自主创新方面的进一步提升。

要记住，生产制造一台光刻机不是单纯的零部件拼装，西班牙ASML厂生产的EUV光刻机，尽管精密度能够达到5nm加工工艺，但是它所需的零部件超出10万只，90%以上零部件来自全球5000个国家和地区进口的，由此可见EUV光刻机生产制造难度到底有多大。

实际上，中国在光刻机里的产品研发发展并不迟，在上个世纪50时代正式开始。但是到了80时代，被“造不如买，买比不上租”的思想限制了对光刻机科学研究的不断深入。由于从美国立即买回去就可以使用，高效率远高于自身产品研发，恰好是这个观念的出现造成了国家对光刻机的开发止步不前。

直到今日受到限制，才猛然发现，我们自己的技术性仍然局限在几十年前。要记住，一切无基础做支撑，需要弯道超车，钻冰求火，目前国内在光刻机上尽管取得进步，但是并不是自嗨与盲目跟风膨胀的情况下。和西方对比，存有的差别仍然较大，需要超越，依然需要投入很长时间。

尽管在光刻机行业，大家不曾放弃传统式科学研究的前提下，还在追寻绕开光刻机的近道。比如量子科技芯片、光量子芯片及其芯片层叠等渠道来寻找弯道超越，但是现在更重要的是处于探索期，间距弯道超越还要比较长的间距。

哈尔滨工程大学研制的“快速超精密干涉仪”虽然能完成光刻机在光刻机的时候对单晶硅片、目镜系统和操作台的超级精确定位，但没配套干涉仪，就不能进行调节、生产作业。

而SAQP技术性，intel早些年前都已试了，在10nm加工工艺就早已翻车。由于选用SAQP技术性产品合格率过低，这也许是intel没法经营规模批量生产的原因之一，而且孔径intel也没有发布10nm工艺技术批量生产进展。

值得关注的是，现在已经确定的信息是，国内光刻机是90nm制造，但尚处于开发阶段，差别取决于光刻技术，因为我们在光刻技术上还处在初始阶段。

国内光刻机需要获得更大的提升，就需要用心应对差别，不要盲目自嗨，一味的自嗨解决不了一切难题，需要对核心技术和机器设备存有敬畏之心，而非一味的自嗨错判局势。

值得一提的是，前些年，在我国外派科技人员赴荷兰的ASML学习时，ASML技术主管对国内科技人员说：“即使把工程图纸提供给大家，你们都造出不来EUV光刻机”，这句话尽管流露出非常大的忽视，但是也是真话。针对重要的关键技术，他们想要提升，就必须要道别自嗨。

大家要用实干的心态意识到自主研发光刻机里的难题，对症下药，尽快攻破技术性困难。仅有从源头上了解努力方向，才有希望不久的将来5-10年处理国内光刻机的难题。对核心技术提升，尽管任重而道远，但依旧要保持期待。