光刻机技术多么难弄？有人把它和核弹头一概而论：

现阶段，全世界光刻机已经从西班牙ASML、日本尼康和佳能企业完全垄断。10nm结点下列，ASML妥妥占有100%的行业，佳能和尼康等同行业竞争敌人无法摆脱这种局面。因而，假如芯片生产商需要制造10nm以内的芯片，务必要有ASML供给的EUV光刻机以及相应的服务与支持。现阶段最先进EUV光刻机能生产制造低于7nm制造的芯片，每一台可以卖到1亿美金。

就算富有，并不是想购买就可以买。

3月初，荷兰政府拟建议限定浸没式DUV光刻机出口，该建议将在夏天以前发布。上年，在我国进口的了超5千亿元件集成电路芯片，全球制造的芯片近三分之二市场销售给中国，中国拥有如此巨大的市场的需求。顶尖芯片生产设备出口限制的进一步缩紧，目的就是为了操纵里的国半导体材料技术发展趋势，让中国再次高价位进口的芯片。

从阿斯麦ASML 2025年销售市场预计能够得知，ASML 2025年的品牌目标，低标是70台浸没式DUV和190台干试DUV；高标准是87台浸没式DUV和290台干试DUV；EUV目标销售量基本没如何变。

由于ASML的EUV全是满产满销，ASML的EUV光刻机一开发出来便会被tsmc、三星、intel三大顾客夺走，而且它的销售量基本没如何变。但DUV销售量存在一定转变，在其中干试DUV高低标相距约一百台，根本原因是中国销售市场。西班牙参加对中国的机器禁售，ASML将损害这种DUV光刻机销售业务。

193nm ArF dry相对应的芯片加工工艺是110~65nm。

193nm ArF immersion相对应的芯片加工工艺乃是45~7nm。14nm以内的芯片制造机器设备归属于优秀制造。

7nm下列，中国公司本来就受到不少限定；65nm~110nm或以上所需要的机器设备，中国公司自身能做到。因而，28nm~45nm是防御行业，假如西班牙限定浸没式DUV光刻机出入口，这就意味着中国公司需要在一两年内补好28~45nm这一块。

国内光刻机能否解救中国半导体业？

搞光刻机必须有搞核弹头的奋斗精神，但是只有拼搏精神还远远不够！光刻机终究不是核弹头，光刻机从试验仪改进成量产机，需要和生产线紧密结合实验生产制造，这种流程是没有办法秘密进行的。ASML能生产制造全世界最先进光刻机，都是取决于几十年来坚持不懈的突破，以及全球的零部件经销商共同协作得到的结果。ASML的数千台机器设备已经在全球各FAB溜了好点年，但是他们至今仍然有大量技术工程师对前三代的光刻机持续进行改善。

比较落后技术并没有保密必须，且国内光刻机的大多数零部件借助美日进口的，海外也清楚在我国光刻机的开发进度。若想保留实力，就需要发展芯片产业链全产业链。

当前国内比较出名的光刻机制造商是上海微电子装备公司（SMEE），制造的光刻机能做的最精确的生产加工制造是28nm，但28nm DUV光刻机并没有完成批量生产，能够实现批量生产的是90nm光刻机，但上中下游工艺相互配合、芯片合格率是多少不明。28~110nm似乎是国內芯片制造需求最大的一个加工工艺范畴，28nm更加是个重要节点，但公布样品取得成功，上生产流水线再从批量生产28nm光刻机还有很长的路要走。

中国在光刻机基础科研方面取得新的突破，但不可否认的是的是，在我国光刻机技术跟全球一流水准依然有非常大的差别。

“单丝不成线，孤掌难鸣”。光刻机产品研发必须多个国家帮助协作才能实现，ASML有90%以上零部件也是从其它国家进口，如灯源机器设备来源于美企，眼镜片来源于德国蔡司。受技术封禁，我们无法从其它国家进口的光刻机的核心零部件，一些零部件也要自己去攻破技术堡垒，大大提高了研制的难度系数。

半导体行业进到技术瓶颈。加工工艺进到10nm连接点之后，颠覆性创新逐渐无效，在没有任何一个新的技术出现的时候，引领者的优点能被逐渐吞噬，幸不辱命逐渐紧跟是迟早的事。“妄图堵其他人路，最后只能堵住自己的道路。”

我们应该的是技术、必须优秀人才、必须资产、需要一段时间。解决“受制于人”难以，但是你知道的，老祖先曾经说过：“天下无难事，世上无难事。”

（之上文章内容仅创作者个人见解）