64位的电脑内存条都是双通道传输数据，每个通道的传输带宽是32位。32位带宽被4个内存芯片共享，每个芯片8位带宽，就是指一次可以传输8位二进制的数据。芯片的运行是由主板供电，电流需要经过电源管理，芯片过滤后才能使用。打开内存芯片看看它的结构，这个是隔热密封的封装盖，这两片金属式芯片触点互联矩阵，他们配合这块，球扇阵裂板一起，为这颗主芯片提供线路连接。单颗主芯片是2 g的容量，它被分成8个组，每组由4个库组成，一共32个库，每个库有65536个行，8192个列。它们被数万条导线，分割成170亿个最小的存储。

单元现在我们把芯片放到最大，看看它里面的样子。这是把内存芯片放大后的样子，这个是芯片阵列中的其中一个单元，称为ET EC记忆单元。只有几十纳米大小，它有两个部分，一个是以电子形式，存储一位数据的电容器。另一个是用于读写数据的晶体管，电容器是由两层导电材料组成，两层之间被极小厚度的绝缘层隔开，这么小的厚度可以阻止电子流动，却能让电场通过。如果电容器被充电到1伏特电压时，会写入二进制的1。如果电压是0伏特时，就写入二进制的零。一个电容器只能存储一位数据，现在我们来看看晶体管，它上面有两条线，这条叫自线连接到晶体管的山脊这条叫位线。连接到晶体管通道的另一侧，像这条自线施加电压时会打开晶体管，电子就能流过通道从而电容器连接到了位线，CPU就能访问电容器了。

对他充电就写入1对他放点就写入0，当关闭晶体管的开关，电容器也就关闭了，电容器与位线隔离，从而保存了之前写入的数据，由于这个晶体管只有几十纳米宽，电子会缓慢的通过通道泄露。因此随着时间的推移，需要刷新电容器，以对泄漏的电子进行充电。刷新是在读取数据时，确保数据不出差错的重要步骤，那么它是如何刷新的呢?我们写入一组数字看看在电容器左边的位线上，始终预充了0.5伏特的电压。如果存储1的电容器里的电荷流失，电荷会先到位线上，位线上的电压一旦大于0.5伏，就会激活底部的感应放大器。放大器会迅速将位线上的电压冲到伊福特，以此给电容器充满电荷。

如果电容器中存储了零，则电荷会从位线流入到电容器，这时放大器同样能读出0.5伏电压的变化，它会将小于0.5伏的电压驱动到零伏特，电容器的电荷也同时归零。这些感应放大器以库为单位进行工作，他们都与芯片底部的位线相连，8位带宽的内存颗粒，以8个放大器为一组。他们每次可以同时刷新，整条自线上的存储单元，并得到一个10位的刷新后的地址，然后将8位刷新过的数据，发送给CPU读取。给存储器写入数据的过程正好相反，先用5位地址码找到库所在的位置，再用感应放大器，对该位置的存储单元进行刷新，然后得到一个10位的列的地址，相对应的8个列，会主动连接到数据写入接口。新的数据就被写入到存储器了。

那么存储器是如何在171个单元中被找到的呢?这是单科芯片，被分成多个层级的分组式图，32个库分成8个组每组4个库。要从171个存储单元中访问数据，我们需要一个31位数字的地址，用3位数字寻找对应的组，然后用两位数字寻找组里的库。接下来的16位地址，用于寻找6.5万个行中确切的行，由于单个颗粒的带宽是巴比特，所以 8,192个列的存储单元是由8个一组排列的，也就是说一次可以读写8位数据最后10位数字是8,000多个列的地址。

实际上这个31位数字的地址被分为两部分，通过21根导线来发送。先发送库组的地址和行的地址，最后发送列的地址。由于每个库的每一行，每一列都是相互独立运行的，因此不同的库的多个行可以同时被打开，这样将大大减少访问数据的时间。甚至 8个库的存储单元，可以被CPU一次性同步刷新。值得一提的是单个库的高度明显大于宽度，这是因为每个相邻的库之间，都是相互连接的，因此CPU所识别到的是6.5万个行，26.2万个列的一整块芯片，并且被整齐的划分成32块。

这种布局无论是刷新还是读写数据，都变得更加高效，这种高效在内存封装上就能看到。第一个数字是16G的容量，第二个数字是每秒传输的数据量，以及第三个数据是最高传输率这些数据的规格，离不开先进的层级设计，先进的布局对于高速的读写至关重要。同样重要的是这颗晶体管存储单元，以及由他们组成的存储库的巧妙设计，每个单元之间用自线连接成行，微线连接成列，这么小的线路却位于不同的垂直层上，确保了相互之间不会触碰。有了这些先进的设计和工艺，才能让你的数据，在纳米级的内存芯片上，进行精准的读取写入和刷新，以及被电脑准确的访问和传输数据，井然有序的来完成，你发出的一个个指令，这就是电脑内存的工作原理。