大家都知道，现阶段全世界仅有ASML一家可以生产制造EUV光刻机，甚至可以说是很长一段时间内，全世界也就只有ASML可以生产制造光刻机，也不会有第二家。

主要原因是ASML把EUV光刻机的道路堵死了，这条路别人呢行不通的。

ASML与国际众多供应链管理，构成了捆缚关联，像卡尔蔡司等和ASML构成了命运共同体，EUV光刻机中，卡尔蔡司等生产商尤为重要，掌握核心科技，缺乏这种供应链管理，其余生产商不可能制造出EUV光刻机。

因此，现阶段众多其他光刻机公司，并不想走EUV光刻机这条路，在另择它路。

相同的，国内光刻机大部分也行不通EUV这条路，只有另寻他路，而从目前的情况看，目前主流上面有三条路，这三条路都可以做到EUV光刻机效果。

第一条路是离子束光刻——用电子束在单晶硅片中进行手工雕刻。

这条路的优势是细致，图像清晰，比EUV光刻机还高，美企Zyvex Labs生产制造出这种光刻机，完成0.768nm芯片的光刻，但主要缺点生产能力低，效率不高，没法规模性批量生产处理芯片，只有实验用，但未尝不是一条新的路。

第二条路是纳米压印，又称NIL技术。工作原理是电路原理图设计方案出来之后，印在纳米板上，再像印书一样压纹在单晶硅片上。

这类的优势特别多，例如输出功率远远比EUV光刻机低，一台EUV光刻机一年得用1000万度电，但是这种NIL技术能源消耗降低90%，且原材料成本比EUV光刻机低40%。

主要缺点现阶段精度不足，远远达不到7nm、5nm的等级，大概还处在28-40nm或以上，但是以后精度提升后，取代EUV彻底行得通。

还有一种是自组装（DSA）光刻，这类技术较为奇妙，就是通过一些化工材料，直接从硅晶圆上，控制各种材料，把芯片电路原理图描绘出去，例如不用的一部分用材料腐蚀掉……

但是这种技术，目前尚远远地看不见量产的期待，这类神奇的化学原材料难找，但是美国、欧洲地区等试验室听说拥有进度，但是短时间毫无疑问要凉，必须要在科幻剧里看到。

非常明显，现阶段看上去最靠谱的的，或是NIL纳米压印技术，彻底有取代EUV光刻机的概率，目前我国还在科学研究这一技术。

但是科学研究比较好的或是日本的佳能相机，佳能在NIL技术上专利权全世界最多，且有了批量生产设备，如今在改善精度，期待国内给油，也可以赶快发布NIL光刻机出去，那般我们自己的处理芯片就不会被受制于人了。