集微网信息，欧洲地区芯片生产商英飞凌下注下一代输出功率半导体，用以从快速手机充电头到新能源汽车的各个领域，而求在更大范围芯片市场疲软的情形下刺激性提高。

英飞凌的目的是产品研发比普通的硅基输出功率芯片具备更高规模和质量的前沿材料。

该企业功率和传感器首席总裁蒂姆（AdamWhite）告知日经亚洲地区，英飞凌尤其看中氮化镓(GaN)芯片。

“我们希望变成电气系统的芯片市场领导者，”蒂姆说。“我们可以看到氮化镓的零界点已经即时产生。”

该企业预测分析，到2027年，氮化镓芯片销售市场会以每一年56%的速度增长。

据White称，英飞凌近期公布了一项8.3亿美元回收渥太华芯片设计创意公司GaNSystems买卖交易，来扩大其产品组合策略并“提升它在电气系统领域内的主体地位”。

White告知日经亚洲地区，转会尚需监督机构准许，这将使其主要从事氮化镓芯片的研发部门总数提升近一倍，做到450多的人，并把它全世界顾客数量的增加到2000家。

根据氮化镓搭建的开关电源芯片更为环保节能，与根据一般硅晶圆搭建的芯片对比，一样容量能够压缩到比较小的空间内，这就意味着充电头和电源适配器还可以做得比较小。

比如，现阶段的iPhone14电源适配器的额定功率为20瓦，但是使用氮化镓原材料，在相近规格的情形下能增加到120瓦上下。据领域管理层和投资分析师称，针对用户来说，这就意味着可以在不到10分钟内为智能化手机充满电。

氮化镓和氮化硅都已经被称之为宽带隙半导体。与更比较常见的硅基芯片对比，宽带隙芯片能够解决更高电压，而且在更高的条件下更坚固。二者中，氮化硅被视为更适用于功率大的电动车充电器及储能设备功率芯片。

除开回收GaNSystems，英飞凌还耗资20亿英镑扩张其设在新加坡居林和德国菲拉赫工厂的氮化镓和氮化硅芯片的产能。

GaNSystems与全球最大代工生产芯片生产商tsmc紧密配合，蒂姆说，即便在英飞凌实现对这一家加拿大公司的收购后，这类方案仍将继续。

他说道，传统硅基开关电源芯片依然至关重要，并强调英飞凌确定项目投资50亿英镑以提升德国德累斯顿该类芯片总产量。但是，他补充道，与宽带隙半导体对比，这一领域的提高预估会变慢。

CounterpointResearch的半导体投资分析师BradyWang表示，不容置疑，基于对更加好的开关电源解决方案要求，宽带隙半导体将会成为市场的主要增长引擎。

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